Micron анонсировала первый в мире модуль DDR5 объёмом 512 ГБ

Micron представила модули DDR5 объёмом 512 ГБ со скоростью 9200 МТ/с – доступны они станут в начале 2027 года. AMD и Intel уже тестируют новую память для использования в будущих серверных платформах.

Компания добилась рекордного объёма за счёт вертикального наложения чипов DRAM, соединённых сквозными кремниевыми переходами (TSV). Такая технология позволяет серверу с 24 подобными модулями достичь 12 ТБ памяти DDR5 без увеличения числа слотов RDIMM, что критически важно для плотных серверных конфигураций, где физическое пространство ограничено.

Помимо роста плотности хранения, Micron заявляет о заметном снижении энергопотребления по сравнению с использованием нескольких модулей меньшего объёма при одинаковой суммарной ёмкости.

По данным тестов производителя, один модуль RDIMM на 512 ГБ потребляет 16 Вт, тогда как четыре модуля по 128 ГБ вместе расходуют 44,2 Вт. Разница составляет более 60%, что для дата-центров с тысячами серверов выливается в существенную экономию на электричестве и охлаждении.

Valve объяснила, почему шлем Steam Frame стоит так дорого

Цена DRAM взлетела на 401% – килограмм памяти стоит как 620 граммов золота

Производительность в аналитических нагрузках также выросла – Micron сообщает о приросте до 1,4 раза по сравнению с конфигурациями на модулях DDR5 объёмом 256 ГБ.

В компании ожидают улучшений в задачах искусственного интеллекта, работе с базами данных, виртуализации и других сценариях, где выгодно хранить большие массивы данных прямо в оперативной памяти, минуя обращения к более медленным накопителям.

Ранее Micron уже представила модули RDIMM DDR5 объёмом 256 ГБ, серийное производство которых стартовало в начале этого года. Эти модули также поддерживают скорости до 9200 МТ/с и построены на памяти DRAM техпроцесса 1-gamma с трёхмерной укладкой кристаллов.

Цену нового 512-гигабайтного модуля компания пока не раскрыла.