Samsung разработала DDR4 RAM на 10-нм техпроцессе

Samsung создала самый маленький 8-гигабитный DDR4 RAM чип используя второе поколение 10-нм производственного процесса. Согласно официальному пресс-релизу новые чипы на 15% энергоэффективнее и на 10% быстрее прошлого поколения, запущенного полтора года назад. Продуктивность новых чипов на 30% выше прошлого поколения, что означает производство большего числа чипов с одного диска. Это означает, что новая RAM будет дешевле и доступнее.

Производственный отдел Samsung не использовал новый технологический процесс для уменьшения RAM, вместо этого компания просто добавила новые технологии на прошлое производство. В частности, используется эффективная система проверки ошибок и уникальные воздушные разделители. 

В скором времени Samsung планирует перейти на 8-нм техпроцесс используя приблизительно те же процессы, однако с 7-нм будет не так просто, так как на этом уровне миниатюризации ультрафиолетовая литография гораздо сложнее.