Samsung запускает производство HBM2 для next-gen GPU

Samsung объявила о запуске в массовое производство блоков DRAM на 4 Гб основанных на втором поколении интерфейса высокоскоростной шины памяти (HBM2). Samsung утверждает, что данный тип памяти в семь раз быстрей чем нынешний лимит DRAM. Это значит ускорение параллельной работы систем, машинное обучение и самое главное — рендеринг графики.

DRAM пакет включает пропускную шину в 256 Гбит/с — в два раза выше HBM1 DRAM, которая использовалась в AMD Fury.

Кроме того Samsung планирует запустить в производство блок на 8 Гб уже в этом году, на 95% уменьшая необходимую площадь в сравнении с GDDR5. В результате, графические карты должны стать ощутимо меньше. 

Другой вопрос, будут ли разработчик тратить силы на графику, если консоли не тянут ее.