Samsung планирует освоить 1-нанометровый техпроцесс к 2031 году с помощью технологии Fork Sheet

Samsung работает над созданием самого передового литографического процесса в своей истории – 1-нанометрового техпроцесса, который в компании уже называют "полупроводником мечты".

Параллельно с разработкой второго и третьего поколений 2-нанометровых процессов на архитектуре GAA (Gate-All-Around), корейский гигант нацелился на покорение нового рубежа миниатюризации. Согласно графику, исследовательская фаза должна завершиться к 2030 году, а запуск производства намечен на 2031-й.

Переход от 2 нм к 1 нм – задача колоссальной сложности. Все три версии 2-нанометрового техпроцесса Samsung используют архитектуру GAA, которая повышает энергоэффективность за счёт расширения токопроводящего канала с трёх полос до четырёх. Однако простое масштабирование той же технологии на 1-нанометровый узел уже не даст заметного эффекта. Именно здесь в игру вступает так называемый метод Fork Sheet.

По данным Korea Economic Daily, суть Fork Sheet заключается в размещении непроводящей стенки между GAA-транзисторами – по аналогии с зубцами вилки, вставленной в доступное пространство. Samsung проводит архитектурную аналогию – если представить транзисторы как дома с лужайками между ними, то Fork Sheet убирает эти лужайки и застраивает освободившуюся площадь дополнительными структурами. Результат – значительно большее количество транзисторов на той же площади кристалла.

Путь Samsung к суб-2-нанометровым технологиям не был прямолинейным. В прошлом году появились слухи об отмене 1,4-нанометрового техпроцесса, хотя позднее выяснилось, что компания не отказалась от него, а перенесла сроки на 2028 год.

Вероятной причиной задержки стало желание сосредоточить ресурсы на доведении до ума 2-нанометровой GAA-технологии. Не исключено, что на тот момент Samsung ещё не проработала применение Fork Sheet, и именно дополнительные исследования позволили найти решение для дальнейшей миниатюризации.

Илон Маск хочет построить в Техасе гигантскую фабрику чипов стоимостью до 300 миллиардов долларов

Впрочем, у компании хватает проблем и на текущем этапе. Процессор Exynos 2600, изготовленный по 2-нанометровому GAA-процессу, страдает от скачков энергопотребления – при запуске бенчмарков вроде Geekbench 6 чип потребляет до 30 Вт. Это напрямую сказывается на автономности, так, версия Galaxy S26 на Snapdragon 8 Elite Gen 5 работает от батареи на 28% дольше, чем вариант с Exynos 2600.

Эти показатели наглядно демонстрируют, что Samsung предстоит решить серьёзные вопросы эффективности уже на уровне текущего поколения, начиная с процесса SF2P – второй итерации 2-нанометровой GAA-технологии.