5-нанометровый чип IBM способен в четыре раза продлить работу от батареи

IBM в партнерстве с Samsung и GlobalFoundries разработала новый процесс для создания 5-нанометровых чипов. Два года назад IBM представила 7-нм процесс, на основе которого Samsung может представить чипы уже в следующем году. Новый же анонс значительно важнее в области дизайна процессоров. 

Новый техпроцесс использует транзистор типа "gate-all-around", где материал "ворот" захватывает три горизонтальных кремниевых "нанолиста" в сравнении с вертикальным fin-дизайном (FinFET), который используется в нынешних чипах. IBM сообщает, что FinFET можно масштабировать до 5-нм, однако он упрется в потолок производительности из-за ограничений в потоке на данном масштабе. Более того ""gate-all-around" проще, чем FinFET, а также может масштабироваться до 3 нм.

IBM сообщает, что новый дизайн на 40% производительней, чем 10 нм чипы, при том же уровне энергопотребления. Что самое важное, данный чип на 75% энергоэффективнее нынешнего поколения.